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FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Número de pieza
FQD10N20LTM
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252, (D-Pak)
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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