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FQD4N20LTM

MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK

Número de pieza

FQD4N20LTM

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.35 Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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