La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQI4N90TU
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Número de pieza
FQI4N90TU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 31185 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQI4N90TU
FQI4N90TU Componentes electrónicos
FQI4N90TU Ventas
FQI4N90TU Proveedor
FQI4N90TU Distribuidor
FQI4N90TU Tabla de datos
FQI4N90TU Fotos
FQI4N90TU Precio
FQI4N90TU Oferta
FQI4N90TU El precio más bajo
FQI4N90TU Buscar
FQI4N90TU Adquisitivo
FQI4N90TU Chip