La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQI50N06LTU
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Número de pieza
FQI50N06LTU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Disipación de energía (máx.)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
52.4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 19657 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQI50N06LTU
FQI50N06LTU Componentes electrónicos
FQI50N06LTU Ventas
FQI50N06LTU Proveedor
FQI50N06LTU Distribuidor
FQI50N06LTU Tabla de datos
FQI50N06LTU Fotos
FQI50N06LTU Precio
FQI50N06LTU Oferta
FQI50N06LTU El precio más bajo
FQI50N06LTU Buscar
FQI50N06LTU Adquisitivo
FQI50N06LTU Chip