La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQI5N80TU
MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
Número de pieza
FQI5N80TU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.6 Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a chen_hx1688@hotmail.com, le responderemos lo antes posible.
En stock 43292 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQI5N80TU
FQI5N80TU Componentes electrónicos
FQI5N80TU Ventas
FQI5N80TU Proveedor
FQI5N80TU Distribuidor
FQI5N80TU Tabla de datos
FQI5N80TU Fotos
FQI5N80TU Precio
FQI5N80TU Oferta
FQI5N80TU El precio más bajo
FQI5N80TU Buscar
FQI5N80TU Adquisitivo
FQI5N80TU Chip