La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQI9N50TU
MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Número de pieza
FQI9N50TU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
730 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 48541 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQI9N50TU
FQI9N50TU Componentes electrónicos
FQI9N50TU Ventas
FQI9N50TU Proveedor
FQI9N50TU Distribuidor
FQI9N50TU Tabla de datos
FQI9N50TU Fotos
FQI9N50TU Precio
FQI9N50TU Oferta
FQI9N50TU El precio más bajo
FQI9N50TU Buscar
FQI9N50TU Adquisitivo
FQI9N50TU Chip