La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQT7N10TF

FQT7N10TF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Número de pieza
FQT7N10TF
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223-4
Disipación de energía (máx.)
2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 10547 PCS
Información del contacto
Palabras clave deFQT7N10TF
FQT7N10TF Componentes electrónicos
FQT7N10TF Ventas
FQT7N10TF Proveedor
FQT7N10TF Distribuidor
FQT7N10TF Tabla de datos
FQT7N10TF Fotos
FQT7N10TF Precio
FQT7N10TF Oferta
FQT7N10TF El precio más bajo
FQT7N10TF Buscar
FQT7N10TF Adquisitivo
FQT7N10TF Chip