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FQU20N06LTU
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Número de pieza
FQU20N06LTU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17.2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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