Comprar ON Semiconductor IRFW630BTM-FP001 MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

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IRFW630BTM-FP001

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Número de pieza

IRFW630BTM-FP001

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D²PAK (TO-263AB)

Disipación de energía (máx.)

3.13W (Ta), 72W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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