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IRLW510ATM
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Número de pieza
IRLW510ATM
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Disipación de energía (máx.)
3.8W (Ta), 37W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
440 mOhm @ 2.8A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
±20V
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