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MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
Número de pieza
MGSF1N02LT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Disipación de energía (máx.)
400mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
750mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 5V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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