Comprar ON Semiconductor MJD112G TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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MJD112G

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Número de pieza

MJD112G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Potencia - Máx.

1.75W

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK

Tipo de transistor

NPN - Darlington

Corriente - Colector (Ic) (Max)

Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)

100V

Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

Corriente: corte del colector (máx.)

20µA

Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

Frecuencia - Transición

25MHz

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