ON Semiconductor
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NDT01N60T1G
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NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
Número de pieza
NDT01N60T1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223 (TO-261)
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
400mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.7V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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