ON Semiconductor
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NID9N05ACLT4G
Hojas de datos

NID9N05ACLT4G

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Número de pieza
NID9N05ACLT4G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
1.74W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
52V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 9A, 12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
3V, 12V
Vgs (máx.)
±15V
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