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NIF9N05CLT1G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Número de pieza
NIF9N05CLT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223
Disipación de energía (máx.)
1.69W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
59V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.6A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 35V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
3V, 10V
Vgs (máx.)
±15V
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