La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTD80N02-1G
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Número de pieza
NTD80N02-1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
75W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
24V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
80A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 19103 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNTD80N02-1G
NTD80N02-1G Componentes electrónicos
NTD80N02-1G Ventas
NTD80N02-1G Proveedor
NTD80N02-1G Distribuidor
NTD80N02-1G Tabla de datos
NTD80N02-1G Fotos
NTD80N02-1G Precio
NTD80N02-1G Oferta
NTD80N02-1G El precio más bajo
NTD80N02-1G Buscar
NTD80N02-1G Adquisitivo
NTD80N02-1G Chip