La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTDV18N06LT4G

NTDV18N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Número de pieza
NTDV18N06LT4G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
±15V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 48664 PCS
Información del contacto
Palabras clave deNTDV18N06LT4G
NTDV18N06LT4G Componentes electrónicos
NTDV18N06LT4G Ventas
NTDV18N06LT4G Proveedor
NTDV18N06LT4G Distribuidor
NTDV18N06LT4G Tabla de datos
NTDV18N06LT4G Fotos
NTDV18N06LT4G Precio
NTDV18N06LT4G Oferta
NTDV18N06LT4G El precio más bajo
NTDV18N06LT4G Buscar
NTDV18N06LT4G Adquisitivo
NTDV18N06LT4G Chip