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NTTS2P03R2G
MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
Número de pieza
NTTS2P03R2G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro8™
Disipación de energía (máx.)
600mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.1A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 2.48A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 24V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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