La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Número de pieza
NVMD6P02R2G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
750mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 16V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 30700 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNVMD6P02R2G
NVMD6P02R2G Componentes electrónicos
NVMD6P02R2G Ventas
NVMD6P02R2G Proveedor
NVMD6P02R2G Distribuidor
NVMD6P02R2G Tabla de datos
NVMD6P02R2G Fotos
NVMD6P02R2G Precio
NVMD6P02R2G Oferta
NVMD6P02R2G El precio más bajo
NVMD6P02R2G Buscar
NVMD6P02R2G Adquisitivo
NVMD6P02R2G Chip