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FK4B01100L1
CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET
Número de pieza
FK4B01100L1
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-XFLGA, CSP
Paquete de dispositivo del proveedor
XLGA004-W-0808-RA01
Disipación de energía (máx.)
360mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 236µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 10V
Vgs (máx.)
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
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