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2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
Número de pieza
2SJ649-AZ
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Isolated Tab
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220 Isolated Tab
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
20A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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