Comprar Renesas Electronics America NP100P06PDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

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NP100P06PDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Número de pieza

NP100P06PDG-E1-AY

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15000pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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