Comprar Renesas Electronics America RJK0301DPB-02#J0 MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

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Hojas de datos

RJK0301DPB-02#J0

MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

Número de pieza

RJK0301DPB-02#J0

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-100, SOT-669

Paquete de dispositivo del proveedor

5-LFPAK

Disipación de energía (máx.)

65W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+16V, -12V

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