Comprar Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0 MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

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RJK2009DPM-00#T0

MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Número de pieza

RJK2009DPM-00#T0

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3PFM, SC-93-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3PFM

Disipación de energía (máx.)

60W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

40A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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