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RT7021BGN
IC HI-SIDE MOSFET SWITCH DIP8
Número de pieza
RT7021BGN
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de entrada
Non-Inverting
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DIP
Suministro de voltaje
13 V ~ 20 V
Tipo de canal
Independent
Configuración impulsada
High-Side or Low-Side
Número de conductores
2
Tipo de puerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 2.5V
Corriente - Salida máxima (fuente, sumidero)
300mA, 600mA
Voltaje del lado alto: máx. (Bootstrap)
600V
Tiempo de subida/caída (típico)
70ns, 35ns
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