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EM6M1T2R

EM6M1T2R

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Número de pieza
EM6M1T2R
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Potencia - Máx.
150mW
Paquete de dispositivo del proveedor
EMT6
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V, 20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA, 200mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
13pF @ 5V
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