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EMD3T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Número de pieza
EMD3T2R
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Potencia - Máx.
150mW
Paquete de dispositivo del proveedor
EMT6
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corriente: corte del colector (máx.)
500nA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frecuencia - Transición
250MHz
Resistencia - Base (R1)
10 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10 kOhms
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