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HP8S36TB

HP8S36TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Número de pieza
HP8S36TB
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Potencia - Máx.
29W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-HSOP
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
27A, 80A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6100pF @ 15V
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