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RF6C055BCTCR
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Número de pieza
RF6C055BCTCR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
TUMT6
Disipación de energía (máx.)
1W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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