La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
RP1E070XNTCR

RP1E070XNTCR

MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
Número de pieza
RP1E070XNTCR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
MPT6
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 35798 PCS
Información del contacto
Palabras clave deRP1E070XNTCR
RP1E070XNTCR Componentes electrónicos
RP1E070XNTCR Ventas
RP1E070XNTCR Proveedor
RP1E070XNTCR Distribuidor
RP1E070XNTCR Tabla de datos
RP1E070XNTCR Fotos
RP1E070XNTCR Precio
RP1E070XNTCR Oferta
RP1E070XNTCR El precio más bajo
RP1E070XNTCR Buscar
RP1E070XNTCR Adquisitivo
RP1E070XNTCR Chip