Comprar Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

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Hojas de datos

RQ1C065UNTR

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Número de pieza

RQ1C065UNTR

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Paquete de dispositivo del proveedor

TSMT8

Disipación de energía (máx.)

700mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±10V

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