Comprar Rohm Semiconductor RQ7E110AJTCR NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

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Hojas de datos

RQ7E110AJTCR

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Número de pieza

RQ7E110AJTCR

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Paquete de dispositivo del proveedor

TSMT8

Disipación de energía (máx.)

1.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 4.5A, 11V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 10mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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