Comprar Rohm Semiconductor RRS110N03TB1 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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RRS110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Número de pieza

RRS110N03TB1

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOP

Disipación de energía (máx.)

2W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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