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RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Número de pieza
RS1E170GNTB
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-HSOP
Disipación de energía (máx.)
3W (Ta), 23.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deRS1E170GNTB
RS1E170GNTB Componentes electrónicos
RS1E170GNTB Ventas
RS1E170GNTB Proveedor
RS1E170GNTB Distribuidor
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