Comprar Rohm Semiconductor RSD200N10TL MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

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Hojas de datos

RSD200N10TL

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

Número de pieza

RSD200N10TL

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

CPT3

Disipación de energía (máx.)

20W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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