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RZR020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Número de pieza
RZR020P01TL
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT3
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
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Palabras clave deRZR020P01TL
RZR020P01TL Componentes electrónicos
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