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VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Número de pieza
VT6M1T2CR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-SMD, Flat Leads
Potencia - Máx.
120mW
Paquete de dispositivo del proveedor
VMT6
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7.1pF @ 10V
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