La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Número de pieza
VT6M1T2CR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-SMD, Flat Leads
Potencia - Máx.
120mW
Paquete de dispositivo del proveedor
VMT6
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7.1pF @ 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 16531 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deVT6M1T2CR
VT6M1T2CR Componentes electrónicos
VT6M1T2CR Ventas
VT6M1T2CR Proveedor
VT6M1T2CR Distribuidor
VT6M1T2CR Tabla de datos
VT6M1T2CR Fotos
VT6M1T2CR Precio
VT6M1T2CR Oferta
VT6M1T2CR El precio más bajo
VT6M1T2CR Buscar
VT6M1T2CR Adquisitivo
VT6M1T2CR Chip