Comprar STMicroelectronics SCT10N120 MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

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SCT10N120

MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Número de pieza

SCT10N120

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

HiP247™

Disipación de energía (máx.)

150W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

690 mOhm @ 6A, 20V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 400V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

20V

Vgs (máx.)

+25V, -10V

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