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STI11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Número de pieza

STI11NM60ND

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK

Disipación de energía (máx.)

90W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±25V

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