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STL100N12F7

MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT

Número de pieza

STL100N12F7

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerFlat™ (5x6)

Disipación de energía (máx.)

136W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

120V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 60V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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