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STS10P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

Número de pieza

STS10P3LLH6

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ H6

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.7W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA (Min)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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