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STS30N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Número de pieza

STS30N3LLH6

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.7W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4040pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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