Comprar Taiwan Semiconductor Corporation 6A60GHB0G DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

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6A60GHB0G

DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Número de pieza

6A60GHB0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

R6, Axial

Paquete de dispositivo del proveedor

R-6

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1V @ 6A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

10µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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