Comprar Taiwan Semiconductor Corporation 6A80GHB0G DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

6A80GHB0G

DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Número de pieza

6A80GHB0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

R6, Axial

Paquete de dispositivo del proveedor

R-6

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1V @ 6A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

10µA @ 800V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

800V

Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 20683 PCS

Información del contacto