Comprar Taiwan Semiconductor Corporation HT12G A1G DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

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HT12G A1G

DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Número de pieza

HT12G A1G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Box (TB)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

T-18, Axial

Paquete de dispositivo del proveedor

TS-1

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1V @ 1A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

5µA @ 100V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

100V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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