Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CL C0G MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

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TSM80N1R2CL C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

Número de pieza

TSM80N1R2CL C0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Short Leads, I²Pak

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-262S (I2PAK)

Disipación de energía (máx.)

110W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

685pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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