Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

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Hojas de datos

TSM900N06CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

Número de pieza

TSM900N06CW RPG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

25W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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