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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Número de pieza
TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante/Marca
Serie
Benand™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tray
Tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
67-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
67-VFBGA (6.5x8)
Suministro de voltaje
1.7 V ~ 1.95 V
Tipo de memoria
Non-Volatile
Tamaño de la memoria
4Gb (512M x 8)
Tiempo de acceso
25ns
Frecuencia de reloj
-
Formato de memoria
Flash
Tiempo de ciclo de escritura: Word, página
25ns
interfaz de memoria
Parallel
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