Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119(F) MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

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2SK1119(F)

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

Número de pieza

2SK1119(F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

100W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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