Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

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2SK2009TE85LF

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Número de pieza

2SK2009TE85LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SC-59-3

Disipación de energía (máx.)

200mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

200mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 50MA, 2.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 3V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V

Vgs (máx.)

±20V

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